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4.总结寄语该工作通过在碘离子迁移路径的关键位置插入稠环分子Cl6SubPc，名额在提高器件效率的同时，名额极大提高了器件的稳定性，一定程度上匹敌晶体硅电池的稳定性。

因此随着近年来微纳加工及高质量二维体系的不断发展，由电研究人员开始关注于探究二维体系中的超导特性。脑随南左：RT曲线Figure10.拓扑超导系统中Majorana零能模的表征a）Bi2Se3膜的表面状态（SS）表示拓扑表面状态和超导电性并存。

【成果简介】       电子科技大学熊杰、机派王显福、杨超介绍了二维超导体的最新进展，论文第一作者为邱东。 b）将门调谐的魔术角TBG中的相和其他相的电导降低c）相对于载流子密度和温度的纵向电阻的相图，位济其中相包括金属，位济带状绝缘体（BI）、相关态（CS）和超导态（SC）。文献链接：所民生简RecentAdvancesin2DSuperconductors,Adv.Mater., 2021,DOI:10.1002/adma.202006124本文由材料人学术组tt供稿，材料牛整理编辑。

办初布招通过这两个方面对相关的表征和理论进行了总结及讨论。然而，中学章1986年人们在意外地在铜基超导体中发现了高温超导特性，中学章并且其超导转变温度Tc在短短两年内被提高至135K，但是高温超导特性并不能够被传统BCS理论所解释。

名额【图文导读】Figure1.二维超导体类别的示意图Figure2.TMD薄层中Tc与厚度的关系a）NbSe2和TaS2中Tc的厚度依赖性。

由电Figure3.TMD薄层相图a）不同电子相的相图与几层MoS2的载流子密度n2D的关系b）在单层NbSe2的STM图像中显示了3×3CDWc）电子掺杂下的TiSe2相图（d-e）具有随机分布的硅原子（d）和NbSe2-xSx（x=0.31）单层（e）的NbSe2单层的STM图像（d-e）的右边部分：超导性能是Si原子密度（d）和S原子密度（e）的函数f）Tc与厚度的相图Figure4.二维超导体中的量子金属态和量子格里菲斯奇点a）Ga膜的R（T）曲线随厚度的演变b）纳米图案YBCO薄膜中异常金属态薄膜的Arrhenius图c）以AAO为模板刻蚀的纳米孔YBCO膜的SEM图像d）周期纳米孔YBCO膜的电阻温度依赖性e）YBCO薄膜中的h/2e磁导量子振荡表明了量子金属态的玻色性质f）对数尺度上所有纳米孔YBCO膜的振荡幅度与温度的关系g-h）三层Ga膜和4MLPb/SICSi中二维淬火无序的二维超导体-金属跃迁的B–T相图（h）Figure5.1UCFeSe/STO的表征a）β-FeSe晶格结构示意图。（4）对基片表面进行处理能够调控单晶薄膜成核的能量势垒，脑随南通过亲水性处理能够降低势垒，脑随南疏水性处理能够提高势垒，因此对夹片的UV或者臭氧表面处理都能够调控中间层薄膜的成核过程和成核密度。

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